熱釋電效應的強弱可用熱釋電系數來表示。在溫度變化?T的情況下，如果晶體自發(fā)極化強度改變了?P，則?P與?T間的關系可用下式表示?P=p?T 

值范圍分別為i=1,2,3,4,5,6。由于晶體加熱時，要保持晶體應變?yōu)榱愕臈l件是不易實現的，所以在一般情況下測得的是自由熱釋電系數。

  反過來，對熱釋電晶體絕熱施加電場時，其溫度將發(fā)生變化，這種效應稱為逆熱釋電效應或電生熱效應。

  利用熱釋電效應可制成良好的紅外敏感元件。其對熱釋電材料的要求是：①能充分吸收入射的紅外線；②為了使吸收的單位熱能對應大的溫度上升幅度，熱釋電材料體比熱應小，且方便加工成微型或薄膜化元件；③跟溫度對應的表面電荷變化大，即熱釋電系數p大，室溫下的戶值p大，T（居里溫度）適當高時，熱釋電系數p變大（T低使工作溫度受到限制，且熱釋電系數p的溫度變化也大）；④與表面電荷變化相應的電容小，即材料的介電量?。虎輼嫵缮ぢ曉粗坏慕殡姄p耗角正切tanδ小。